台式三维原子层沉积系统ALD

  原子层沉积 （ Atomic layer deposition, ALD ）是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器，化学吸附在沉积衬底上 并反应 形成沉积膜的一种方法，是一种可以将物质以单原子 膜形式 逐层的镀在衬底表面的方法。因此，它是一种真正的“纳米”技术，以精确控制方式实现纳米级的超薄薄膜沉积。由于 ALD 利用的是饱和化学吸附的特性，因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。

   美国 ARRADIANCE 公司的 GEMStar XT 系列台式 ALD 系统，在小巧的机身（ 78 x56 x28 cm ）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可最多容纳 9 片 8 英寸基片同时沉积。 GEMStar XT 全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计， 使温度均匀性高达 99.9% ，气流对温度影响减少到 0.03% 以下。高温度稳定度的设计不仅实现在 8 英寸基体上膜厚的不均匀性小于 1% ，而且更适合对超高长径比的孔径结构等 3D 结构实现均匀薄膜覆盖，可实现对高达 1500 ： 1 长径 比微纳 深孔内部的均匀沉积。

GEMStar XT 产品特点：

* 300 ℃ 铝合金热壁，对流式温度控制

* 175 ℃温控 150ml 前驱体瓶， 200 ℃温控输运支管

* 可容纳多片 4 ， 6 ， 8 英寸样品同时沉积

* 可容纳 1.25 英寸 /32mm 厚度的基体

* 标准 CF-40 接口

* 可安装原位测量或粉末沉积模块等选件

* 等离子体辅助 ALD 插件

* 多种配件可供选择

GEMStar XT 产品型号：

GEMStar XT-S ：

* 最大8 英寸 /200 mm 基片沉积（4'和6' 可选）

* 单路前驱体输运支管， 4 路前驱体瓶接口

* 可升级为等离子体增强 ALD

GEMStar XT-D ：

* 最大 8 英寸 (200mm) 基片沉积（4'和6' 可选）

* 双路前驱体输运支管， 8 路前驱体瓶和 CF-40 接口

* 可升级为等离子体增强 ALD

GEMStar XT-P ：

* 最大 8 英寸 /200mm 基片沉积（4'和6 '可选）

* 双路前驱体输运支管， 8 路前驱体瓶和 CF-40 接口

* 装备高性能 ICP 等离子发生器

  13.56 MHz 的等离子 源非常 紧凑，只需风冷，最高运行功率达 300W 。

* 标配3组气流质量控制计（ MFC ）控制的等离子气源线，和一条 MFC 控制的 运载气体线，使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。

  新产品发布：

* 最大1 00 mm 立方体样品 沉积（4'和6' 可选）

* 单路前驱体输运支管， 2路前驱体瓶接口

* 主要用于3D多孔材料，以及厚样品的沉积

丰富配件：

多样品托盘：

* 多样品夹具，样品尺寸（ 8", 6", 4" ）向下兼容。

* 多基片夹具，最多同时容纳 9 片基片。

温控热 托盘：

* 可加热样品托盘，最高温度 500 ℃，可实现热盘 - 热壁复合 加热方式。

尾气处理系统：

臭氧发生器：

粉末旋转沉积罐模块：

配合热壁加热 方式，进一步实现 对微纳粉末 样品全保型薄膜均匀沉积包覆。

手套箱接口：

可从侧面或背面完美接入手套箱，与从底部接入手套箱不同，不占用手套箱空间。由于主机在手套箱侧面，反应过程中不对手套箱有加热效应，不影响手套箱内温度。

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